募集は締め切りました。
ご応募ありがとうございました。
| 期 間 | 2015年8月25日（火）～8月28日（金） |
|---|---|
| 会 場 | 筑波大学総合研究棟B 産業技術総合研究所つくば西TIA連携棟 |
| 内 容 | 8/25（火） ICの概要、デバイス物理、合同ポスターセッション、合同交流会 8/26（水） TCAD実習、SCR（スーパークリーンルーム）見学 8/27（木） リソグラフィ、エッチング、フロントエンドプロセス、バックエンドプロセス 8/28（金） 回路技術、新デバイス、フレキシブルエレクトロニクス |
| 対象者 | ナノエレクトロニクスに興味を持つ大学院生及び社会人 ※所属大学指導教員等の推薦書があれば、大学4年生、高専専攻科2年生の参加を認めます |
| 募集人数 | 30名程度（原則として全日参加できる方） |
| 選考方法 | 書類選考（応募多数の場合は大学院生を優先します） |
| 受講料 | 無料 |
| その他の費用 | 交流会参加費1000円 |
| 交通費・宿泊費 | 補助あり |
| 単位修得について | 大学院生は単位修得が可能です。特別聴講学生の手続きはこちら |
| 主 催 | 筑波大学大学院数理物質科学研究科 産業技術総合研究所つくばイノベーションアリーナ推進センター |
| 後 援 | 公益社団法人日本工学会 |
| お申込み | 締切：6月24日(水) 募集は締め切りました。ご応募ありがとうございました。 |
| お問い合わせ | 筑波大学 TIA推進室 E-mail：tia-edu★un.tsukuba.ac.jp ※★部分を@に変えてご連絡ください。 |
