| このプログラムは文部科学省科学技術人材育成のコンソーシアムの構築事業（次世代研究者育成プログラム）の支援を受けておりますので、次の特典があります。特典はこちら | |
| 期 間 | 2016年8月29日（月）- 9月1日（木） |
|---|---|
| 会 場 | 筑波大学 大学会館、産業技術総合研究所（産総研）つくば西 TIA連携棟 |
| 内 容 | 8/29（月） ICの基礎、デバイス物理、ナノエレ・ナノグリーン合同ポスターセッション、合同交流会 8/30（火） TCAD実習、SCR棟／計測分析技術・HIM見学 8/31（水） リソグラフィ、電気特性評価技術、エッチング基礎と最先端、MOSFET形成技術 9/1（木） 新デバイス、メモリと材料物性、センサー+IC |
| 対象者 | ナノエレクトロニクスに興味を持つ大学院生及び社会人 ※所属大学指導教員等の推薦書があれば、大学4年生、高専専攻科2年生の参加を認めます。 |
| 募集人数 | 30名程度（原則として全日参加できる方） |
| 選考方法 | 書類選考（応募多数の場合は大学院生を優先します。） ※申し込み締め切り後、参加の可否を連絡します。 |
| 受講料 | 無料 |
| その他の費用 | ナノエレ・ナノグリーン合同交流会参加費（全員）1,000円 |
| 交通費・宿泊費 | 補助あり |
| 単位取得について | 大学院生は単位修得が可能です。特別聴講学生の手続きはこちら |
| 主 催 | 筑波大学大学院数理物質科学研究科 産業技術総合研究所TIA推進センター |
| 後 援 | 公益社団法人日本工学会 |
| お申込み | 締切：2016年6月27日（月） ※募集は締め切りました。ご応募ありがとうございました。 |
| お問い合わせ | 筑波大学 TIA推進室 E-mail：tia-edu★un.tsukuba.ac.jp ※★部分を@に変えてご連絡ください。 |
