TIAナノエレクトロニクス・ナノテクノロジーサマースクール

ナノエレクトロニクス技術の基礎知識から各種分野のアプリケーションの応用展開まで、様々な角度からナノエレクトロニクス技術を収集できる機会です。世界で活躍する第一線の大学教員及び研究者による講義を主とし、実習や施設見学を行います。また、異分野の学生や企業との交流の機会として、TIAナノグリーン・サマースクールとの合同ポスターセッションや交流会を実施しています。

ナノエレクトロニクス
ナノエレクトロニクス
ナノエレクトロニクス
ナノエレクトロニクス
ナノエレクトロニクス
ナノエレクトロニクス
ナノエレクトロニクス

2023年度

第1日:半導体・デバイス物理Ⅰ、半導体・デバイス物理Ⅱ
第2日:MOSトランジスタ形成プロセスⅠ、MOSトランジスタ形成プロセスⅡ
第3日:薄膜形成プロセス(Atomic Layer Deposition)、機械学習を用いた半導体製造プロセス探索
第4日:論理回路とLSIの基礎、Logic Design: Power, Performance, Area (PPA); Design-Techonology Co-Optimization (DTCO); System-Technology Co-Optimization (STCO)
第5日:Technology trend for next generation 3D system and devices I、Technology trend for next generation 3D system and devices II
~ Advanced technologies of 3DIC packaging ~

2022年度

第1日:半導体・デバイス物理
第2日:MOSトランジスタ形成プロセス
第3日:薄膜・新材料
第4日:論理回路とLSIの基礎
第5日:次世代3Dシステム・デバイスに向けた技術動向について

2019年度

第1日:ICの基礎、デバイス物理、リソグラフィ技術、フロントエンドプロセス
第2日:TCAD実習とSCR棟の見学
第3日:極薄膜、バックエンドプロセス、グラフェン、ReRAM

2018年度

第1日:ICの基礎、デバイス物理、リソグラフィの基礎、ウエット洗浄nmスケールの化学
第2日:TCAD実習、SCR棟/計測分析技術・HIM見学
第3日:極薄膜、バックエンドプロセス、ナノエレ・ナノグリーン 合同ポスターセッション、合同交流会
第4日:脳のリバースエンジニアリングと創発コンピューティング、シリコンフォトニクス、新ゲート絶縁膜

2017年度

第1日:ICの基礎、デバイス物理、ナノエレ・ナノグリーン合同ポスターセッション、合同交流会
第2日:TCAD実習、SCR棟/計測分析技術・HIM見学
第3日:リソグラフィの基礎、極薄膜(ナノレベルの半導体製造プロセス)、ウェット洗浄nmスケールの化学、バックエンドプロセス
第4日:宇宙デバイス(私たちは惑星探査機「はやぶさ」をどのように打ち上げたか)、GeあるいはSiGeを使ったMOSFET技術、ナノカーボン配線

2016年度

  • 第1日:ICの基礎、デバイス物理、合同ポスターセッション、合同交流会
  • 第2日:TCAD実習、SCR棟/計測分析技術・HIM @産業技術総合研究所 西事業所 TIA連携棟見学
  • 第3日:リソグラフィの基礎、電気特性評価技術、エッチング基礎と最先端、MOSFET形成技術
  • 第4日:新デバイス、メモリと材料物性、センサー+IC

2015年度

  • ※「TIAナノエレクトロニクス・サマースクール」として実施
  • 第1日:ICの概要、デバイス物理、合同ポスターセッション、合同交流会
  • 第2日:TCAD実習、SCR(スーパークリーンルーム)見学
  • 第3日:リソグラフィ、エッチング、フロントエンドプロセス、バックエンドプロセス
  • 第4日:回路技術、新デバイス、フレキシブルエレクトロニクス

2014年度

  • ※「TIAナノエレクトロニクス・サマースクール」として実施
  • 第1日:ICの概要、デバイス物理、リソグラフィ、エッチング、ナノエレ・ナノグリーン合同交流会
  • 第2日:フロントエンドプロセス、バックエンドプロセス、ナノエレ・ナノグリーン合同ポスターセッション
  • 第3日:TCAD実習、SCR(スーパークリーンルーム)棟見学
  • 第4日:新デバイス、科学技術戦略、農業・生物・環境応用

2013年度

  • ※「TIAナノエレクトロニクス・サマースクール」として実施
  • 第1日:LSI工学、エッチング、リソグラフィ、ナノエレ・グリーン合同交流会
  • 第2日:ゲート絶縁膜 、ナノエレ・グリーン合同ポスターセッション
  • 第3日:多層配線Ⅰ・Ⅱ、CNTⅠ(合成・材料特性)・Ⅱ(デバイス応用)
  • 第4日:設計Ⅰ(回路設計)・Ⅱ(トランジスタ特性と回路)、設計実習 【筑波大学】
  • 第5日:TCAD、計測・分析技術、新デバイス、将来アプリケーション
  • 見学会:〈オプション〉TIA-nano施設見学【高エネルギー加速器研究機構】
    企業見学(講演)【インテル株式会社つくばオフィス】

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